中国科学院（Chinese Academy of Sciences）微電子研究所はこのほど、DUV（深紫外線）露光を用いた積層ナノシートチャネル型GAA（Gate-All-Around、全周ゲートトラジスタ）CMOSの先導的な集積プロセスを確立し、CMOSデバイスの開発を完了したと発表した。集積プロセスの最適化により、デバイスのオン／オフ電流比は50万倍を突破したという。理論上は、中国がDUV露光によって3nm以下の先端プロセスへ踏み込むための「理論的な窓」を開いた形となる。

2026年9月20日、第11回上海FD-SOIフォーラムが上海で開催された。今回のフォーラムはVeriSilicon（芯原股份）が主催し、GlobalFoundries、Soitec、MIPSなど世界の半導体サプライチェーンの中核企業に加え、IBSや清華大学（Tsinghua University）など有力な産業研究機関・学術チームが参加した。会議では、FD-SOI技術のおよそ25年にわたる進化の歩みを整理するとともに、28nmから7nm以下への新たなロードマップが示され、FD-SOIとFinFETが並行して発展する産業上の位置付けが改めて明確にされた。対象市場としては、エッジAI、車載エレクトロニクス、モバイル通信、5G/6Gミリ波など、巨大な成長余地を持つ分野が挙げられた。VeriSiliconの取締役社長兼CEO兼総裁である戴偉民（ダイ・ウエミン）氏は開幕の挨拶で、FD-SOIの技術的基盤、中国におけるローカル戦略の最新動向を説明した。

中国半導体IP大手VeriSilicon（芯原股份）が主催する「第11回 上海FD-SOIフォーラム」が上海で開幕した。SimWings（新傲芯翼）の王克睿・常務副総経理は同フォーラムで、「300mm SOI基板を基盤にFD-SOI産業の発展を支援」と題した講演を行い、FD-SOI基板分野における同社の最新動向と事業戦略を紹介した。

9月18日、ロイター通信の報道によると、中国のDRAMメーカーである長鑫存儲（CXMT）は、NANDフラッシュ市場への参入を準備している。これにより、サムスン電子やSKハイニックスなどの大手メーカーに挑戦する構えだ。さらに、中国 NAND フラッシュメモリメーカー「長江存儲（YMTC）」との直接競合にもつながる見通しだが、NANDフラッシュは現在、半導体業界の中でも特に成長が速い分野の一つとされている。

中国の半導体設計会社、昂瑞微（OnMicro）は、RFフロントエンド、RF SoC、アナログ半導体を横断的に展開する数少ない中国系プレーヤーとして存在感を高めている。

中国国家統計局が発表した統計によると、2026年8月の中国の一定規模以上の工業企業による付加価値生産額は、前年同月比5.2％増加した。伸び率は7月から0.7ポイント加速した。前月比では0.54％増となった。1～8月の累計では、一定規模以上の工業付加価値額は前年同期比5.3％増となった。8月の工業生産を3大産業別に見ると、製造業が前年同月比6.1％増と全体をけん引した。一方、鉱業は1.4％減少した。電力・熱力・ガス・水の生産・供給業は4.9％増加した。

9月11日夜、紫光国芯微電子股份有限公司（Unigroup Guoxin Microelectronics Co., Ltd）（002049、以下「紫光国微」）は、株式発行および現金支払いによる資産取得に関する報告書（草案・改訂版）を開示した。特定用途向け集積回路 (ASIC) とスマートセキュリティチップを主力事業とする中国の大手チップ設計企業である同社は、総額19億元（約437億円）でパワー半導体企業の瑞能半導体科技股份有限公司（WeEn Semiconductors Co., Ltd）（以下「瑞能半導」）の持分100％を取得する方針だ。

9月14日-市場調査会社TrendForceが公表した最新のメモリー業界レポートによると、NOR型フラッシュ市場ではここ10年で最も大きい需給構造の変化が進んでいる。AI関連用途が生産能力の多くを吸収する中、高性能アプリケーション向け需要の拡大も重なり、メーカーによるNORフラッシュのビット供給増は限定的にとどまっている。

9月11日の報道によると、ブロックチェーンコンテンツの集約プラットフォームであるChainCatcherが業界関係者の話として報じたところによると、中国最大のDRAMメーカーである長鑫存儲（CXMT）はこのほど、上海の新工場向け設備調達の正式な入札を開始し、あわせて複数の新工場に関する拡張計画もさらに明確にした。投資が計画どおり順調に進めば、将来的に長鑫存儲の月産能力は60万枚に達し、サムスン電子やSKハイニックスといった世界の大手DRAMメーカーとの生産能力格差を急速に縮める見通しだ。

9月10日、Reutersが関係者3人の話として報じたところによると、HuaweiやCambricon（寒武紀）など中国のAI半導体メーカーは、現行製品および次世代AIプロセッサーの価格を大幅に引き上げている。高帯域幅メモリー（HBM）の調達コストが急騰しており、中国が進める「NVIDIA代替」の国産AI半導体育成に重荷となっている。