中科院GAA晶体管突破：DUV光刻也能造3nm芯片？
近期，中国科学院微电子研究所宣布建立DUV光刻下的堆叠纳米片沟道GAA（全环绕栅极）CMOS集成先导工艺，完成了CMOS器件研发，通过集成工艺优化，实现了器件开关电流比突破50万倍，理论上为我国通过DUV光刻解锁3纳米及以下先进工艺打开了一个“理论窗口”。
芯原戴伟民：FD-SOI将迈入个位数纳米时代，本土产业链加速完善！
2026年9月20日，第11届上海FD-SOI论坛如期在上海举办，本届会议由芯原股份（VeriSilicon）主办，汇聚了来自格芯、Soitec、MIPS等全球半导体产业链核心企业，以及IBS、清华大学等顶尖产业研究及学术团队，共同梳理FD-SOI技术近25年的演进脉络，发布28nm向7nm及以下节点迭代的全新路线图，明确FD-SOI与FinFET并行的产业定位，面向边缘AI、车载电子、移动通信、5G/6G毫米波等万亿级市场打开新的增长空间。芯原股份董事长、CEO兼总裁戴伟民（Wayne Dai）在开幕致辞中披露了FD-SOI的技术根基、产业里程碑与中国本土化布局的最新进展。
新傲芯翼：300mm SOI已量产，拟规划年产能100万片！
2026年9月20日，由芯原股份（VeriSilicon）主办的第11届上海FD-SOI论坛在上海开幕。新傲芯翼（SimWings）常务副总经理王克睿出席论坛，并发表了题为《立足300mm SOI衬底，助力FD-SOI产业发展》的主题演讲，全面展示了新傲芯翼在FD-SOI衬底领域的最新进展与战略布局，并透露300mm SOI已量产，部分产品已通过客户认证，已规划20230年产能扩大到100万片。
传长鑫存储将进军NAND Flash市场
9月18日消息，据路透社报道，中国DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT）正准备进军NAND Flash市场，挑战三星、SK海力士等头部厂商，虽然这也将与长江存储（YMTC）正面竞争，但这也是当前半导体行业增速最快的细分领域之一。
昂瑞微：全栈能力突围，锚定空天地一体化新周期
昂瑞微作为国内少数同时布局射频前端、射频SoC、其他模拟产品的平台型芯片设计企业，依托完整底层射频技术积累，打通手机、IoT、车规、手机卫星通信、低空经济等多元市场，构建差异化本土竞争壁垒，具备突出的中长期投资价值。
中国の8月鉱工業生産、前年比5.2％増 製造業とハイテク分野がけん引
中国国家統計局が発表した統計によると、2026年8月の中国の一定規模以上の工業企業による付加価値生産額は、前年同月比5.2％増加した。伸び率は7月から0.7ポイント加速した。前月比では0.54％増となった。1～8月の累計では、一定規模以上の工業付加価値額は前年同期比5.3％増となった。8月の工業生産を3大産業別に見ると、製造業が前年同月比6.1％増と全体をけん引した。一方、鉱業は1.4％減少した。電力・熱力・ガス・水の生産・供給業は4.9％増加した。
紫光国微拟19亿元收购瑞能半导100%股权，强化功率半导体布局
9月11日晚间，紫光国芯微电子股份有限公司（002049，下称“紫光国微”）披露了一份发行股份及支付现金购买资产报告书（草案）（修订稿）。这家以特种集成电路和智能安全芯片为主业的芯片设计龙头，拟以19亿元的总对价，收购功率半导体企业瑞能半导体科技股份有限公司（下称“瑞能半导”）100%股权。
2026年下半年高容量NOR Flash预计涨价90-110%
9月14日，市场研究机构TrendForce集邦咨询最新发布的存储器产业研究报告显示，NOR Flash市场正经历近十年来最重要的供需结构转变。在AI占据多数产能的情况下，叠加高端应用需求升级，供应商NOR Flash位元产出增加有限，预估2026年下半年供需仍旧失衡，整体合约价格维持在高点，高容量产品价格甚至可能翻倍成长。
长鑫存储上海厂启动设备招标，规划月产能或超10万片
9月11日消息，据ChainCatcher援引业内人士报道称，中国最大的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）近期已为其上海新工厂正式启动设备采购招标，并进一步明确了多座新厂的扩展计划。若投资按计划顺利推进，未来长鑫存储的月产能将达到60万片，将快速缩小与三星电子、SK海力士等全球头部DRAM大厂的产能差距。
华为Ascend 950DT涨价20%-50%，寒武纪思元690涨价20%至30%
9月10日，据路透社援引三位知情人士报道称，包括华为和寒武纪在内的中国AI芯片制造商已大幅上调现有及下一代AI处理器的价格，因高带宽内存（HBM）成本飙升，挤压了中国打造英伟达替代方案的努力。
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