
SEMI:シリコンウェーハ需給が逼迫へ、HBM浸透率25%が転換点
2025-08-13半導体業界動向半導体

8月12日、国際半導体製造装置材料協会(SEMI)は最新予測レポートを発表し、AIブームの持続にもかかわらずシリコンウェーハの出荷量が緩慢に増加している現状を指摘した。特に高帯域メモリ(HBM)がDRAM市場全体に占める割合が25%に達すると、シリコンウェーハの需給が逼迫すると予測されている。
SEMIによれば、現在AI半導体の需要は依然として堅調で、一部の高付加価値サプライチェーンはほぼフル稼働状態にある。しかし、シリコンウェーハ出荷量の明らかな回復は見られず、これは主にファウンドリの需要パターンが根本的に変化したためだ。特にプロセスの複雑化と品質管理要件の厳格化により、生産速度が低下していることが要因となっている。
予測では、2020年~2024年のファウンドリのサイクルタイムの年間複合成長率(CAGR)は約14.8%に達する。設備台数と稼働率が変わらない場合、加工可能なシリコンウェーハの数量は制限される。さらに2020年以降、ウェーハ1枚当たりの設備投資額が150%以上急増している。この投資増加は生産能力の拡大ではなく、より長い加工時間に転化している。
SEMIは、特にHBMが1ビット当たりで消費するシリコンウェーハ面積がDRAMの3倍以上となり、膨大な潜在需要を生み出すと指摘した。シリコンウェーハ市場の供給は逼迫傾向を示し、HBMがDRAMに占める割合が25%に達した時点が、需要が供給を上回る重要な転換点になると見込まれている。
(原文:https://www.icsmart.cn/95179/)
Please note: This news article was translated by AI. We apologize for any imperfections in the translation.
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