10月22日、IDTechEXが発表した最新の予測レポートによると、電気自動車（EV）の市場占有率が持続的に拡大し、製品競争が激化する中、炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）に代表される、より高性能なパワー半導体を採用する車種が増加している。2036年までに、車載パワー半導体市場規模は3倍以上に成長し、4200億ドル（約60兆600億円）に達すると予測されている。

レポートによれば、3年前はEVがSiC MOSFETを採用することはまだセールスポイントとなっていたが、現在ではSiCを採用するEVは珍しくなく、プラグインハイブリッド車（PHEV）でさえも採用が始まっている。これはSiCが成熟段階に入ったことを示している。

SiCウェーハの供給競争が激化する中、多くの企業が200mm SiCウェーハの量産拡大に乗り出している。ウルフスピードとインフィニオンは既に量産を開始し、シャオミ自動車や理想自動車（Li Auto）などの中国自動車メーカーへの供給を開始しており、SiCが市場の主流選択肢となる原動力となっている。純電気走行距離がそれほど高くないPHEVモデルでさえSiCの採用を開始しており、その成熟度が窺える。

SiCに続く技術が、消費者にもすでによく知られた窒化ガリウム（GaN）である。現在、GaNをベースとした急速充電アダプターは至る所で見られ、その高電力、高電圧特性はEV市場でも本領を発揮しようとしている。

中国の長安汽車（Chanan Auto）は2027年をめどに、GaNを搭載した車載充電器を備えた新型車種の投入を計画している。Navitasが部品を供給し、電力密度は1リットルあたり6kWに達し、現在主流の車載充電器の1リットルあたり2kWという水準を大幅に上回る。言い換えれば、同じ体積であれば、充電功率を倍増させる可能性がある。

IDTechEXのアナリストは、GaNは初期段階では主に車載充電器およびDC-DCコンバーターに採用され、その後、NXPやVisICなどのメーカーがGaN駆動インバーターの開発を進めており、シリコンベースのインバーターやSiCインバーターの一部を置き換える可能性があると見ている。

コスト、開発期間、量産規模などの要素を考慮すると、今後数年間では、Si IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTを併用した、混合構成のパワー半導体ソリューションがより多く見られると予想される。これにより、コストを考慮しつつ、異なる負荷要求に対応する製品が実現する。

もちろん、コスト考察の敏感度が低い製品においては、SiCインバータの全面採用が、最も合理的で効率的な選択肢となる。GaNがより具体的な商業応用を獲得する前に、SiCの大幅な成長は、予測可能な趨勢であると考えられる。

（為替換算レート：1米ドル=143円で計算）

（原文：https://www.icsmart.cn/97815/）