2025年第3四半期DRAM市場：長鑫存儲（CXMT）が5％のシェアを維持、南亜科技（Nanya Technology）は2％に向上

12月22日付ニュースによると、市場調査会社Counterpoint Researchはこのほど、2025年第3四半期のDRAM市場およびHBM（高帯域幅メモリ）市場に関する追跡・予測レポートを発表した。その中で、SKハイニックスはDRAM市場とHBM市場の両方で首位を維持しているが、市場シェアはいずれも前四半期比で小幅に低下した。

具体的には、DRAM市場において、SKハイニックスは3四半期連続で首位となったが、シェアは第2四半期比4ポイント減の34％となった。2位はサムスンで、シェアは四半期比1ポイント増の33％となった。3位はマイクロンで、市場シェアは四半期比3ポイント増の26％だった。長鑫存儲（CXMT）は5％のシェアで4位で、南亜科技（Nanya Technology）のシェアは四半期比1％から2％に上昇した。

Counterpoint Researchの分析によると、出荷量の増加と価格上昇に牽引され、2025年第3四半期の世界全体のDRAM市場規模は四半期比26％急増した。しかし、主要サプライヤーが従来型DRAMの減産を進める中、供給不足が深刻化している。この状況は南亜科技の従来型DRAM販売に有利に働き、同社のシェアを第2四半期の1％から第3四半期の2％に上昇した。

2025年第3四半期のHBM市場のみを見ると、SKハイニックスが依然として首位を維持しているが、その市場シェアは前四半期比7ポイント減の57％となった。一方、サムスンはHBM3Eの好調なパフォーマンスにより、第3四半期のシェアを7ポイント増の22％に伸ばした。マイクロンの市場シェアは前四半期と変わらず、21％を維持している。

（原文：https://www.icsmart.cn/100107/）