2月12日、韓国メディアZDnet KoreaがTechInsightsの報告書を引用し、中国DRAMメーカー長鑫存儲（CXMT）が次世代DRAM開発を加速していると報じた。同社は当初計画していた17nmプロセスを飛び越え、初の商用DDR5製品に16nmプロセスを採用。さらに15nmプロセスの開発を進めており、2025年内の開発完了と2026年下半期の商用化を目指す。
同レポートによると、TechInsightsは最近、中国のメモリモジュールメーカーGlowayから発売されたDDR5モジュール（16GBx2 DDR5-6000 UDIMM）を分解した結果、同製品からCXMTが製造した16個の16Gb DDR5メモリチップが検出されたという。 CXMTの16Gb DDR5チップを分析した結果、サイズは66.99mm²、ビット密度は0.239Gb/mm²、回路幅は16nmと推定される。 CXMTはこの製品を「G4」と命名しており、前世代のG3（18nm）より20％小さい。 20%. 一方、韓国のサムスンとSKハイニックスが2016年に発表した16nm DRAMプロセス技術は「1y」プロセス技術と命名された。
TechInsightsによれば、CXMT社ははこれまで主に17~18nmプロセスでDDR4やLPDDR4Xといったより成熟した製品を生産していたと指摘した。 しかし、2024年11月、同社は初のLPDDR5製品をリリースした。 また、DDR5を2025年に製品化するという目標を少し早く達成することに成功した。 これに関して、一部の情報筋は、GCLストレージがこのDDR5に使用されるG4プロセスに非常に自信を持っていたと指摘している。 そして今回、GCLの次世代DRAMプロセス開発が当初の予定よりも早いことが判明した。
TechInsightsによると、GCLは17nmと16nmプロセス技術を同時に開発しており、17nmプロセス技術を開発した後、すぐに16nmプロセス技術の開発を完了した。 そのため、最初の商用DDR5製品はG4の17nmプロセス技術ではなく、より先進的な16nmプロセス技術を採用している。
また、CXMT社のG5は当初、15nmプロセス技術の開発を計画していたが、米国が先端半導体製造装置の輸出制限を強化したため、EUV先端製造装置の導入は保留された。 しかし、技術開発の成熟に伴い、マイクロンの13nm DRAMプロセス技術でさえEUVの利用を採用していないことから、次世代プロセスの開発・量産には既存の装置であるCXMT社の利用でも十分であると予想される。
2019年、サムスン電子とSKハイニックスは「1z」と呼ばれる15nm DRAMプロセス技術を開発した。 両社は現在、「1b」と名付けられた12nm DRAMプロセス技術の量産に取り組んでいる。 韓国と中国のDRAMプロセス技術にはまだ差があるが、中国の技術が進歩するにつれて、その差は小さくなっている。
TechInsightsは、CXMT社のG5プロセス技術が2025年末までに開発され、2026年にサンプルが完成すれば、下半期にはG5プロセス技術の製品が市場に出回る見込みであることを強調している。 しかし、最初は歩留まりがあまり良くないかもしれない。 また、この技術がまだ継続的に開発されているとはいえ、CXMT社にはまだ課題がある。 というのも、次のより高度なDRAM製造には、EUVのような露光技術に加え、高深度幅比（HAR）や低温エッチング（LTE）など、複数の高度な製造装置が必要だが、これらも米国の規制により入手が困難だからだ。 そのため、中国は現在、このボトルネックを打破することを期待して、プロセスの最適化と先端プロセス装置の中国国産化を積極的に進めている。