8月4日、中国台湾メディア『自由時報』によると、半導体受託製造大手のTSMCが中国台湾の高雄（Kaohsiung）楠梓科学園区に建設した最初の2nmプロセス工場（P1）が量産段階に入り、月間生産能力は1万枚に達する見込みだ。高雄の第二2nmプロセス工場（P2）もすでに設備の設置を開始しており、今年年末までに試作生産が行われる予定だ。

サプライチェーン関係者によると、TSMCは今年3月31日に高雄で2nm増産式典を開催し、主にP2工場の棟上げ式が行われた。約4ヶ月間にわたる建屋の急ピッチ工事とクリーンルーム設置などの施設作業を経て、P2工場のA区では近日中に設備設置が開始され、3～4ヶ月後には試作生産に加わる見込みだ。また、B区でも施設設備の設置が始まっている。P1とP2工場は今年中に合計月産3万枚の設備設置を完了する計画だ。P3工場は現在建設中で、2nmシリーズのA16プロセスの製造を予定しており、その後P4、P5工場の建設も計画されている。

一方、TSMCが新竹（Hsinchu）科学園区宝山に建設したF20工場も2nm製造の重要な拠点だ。サプライチェーン関係者によると、現在F20工場のP1工場はリスク生産を完了し、量産に入っています。P2工場も建設完了と設備設置を終えており、今年末までにP1、P2工場の合計月産能力は3万～3.5万枚に達すると見込まれている。さらに、建設中のP3、P4工場はA14プロセスの生産に投入されると期待されている。

現在、TSMCは台湾ですでに4つの2nmウェハー工場で設備設置を完了し、順次試作を開始している。各工場のクリーンルーム面積は同業他社の2倍だ。サプライチェーン関係者によると、来年TSMCの2nm生産能力はさらに拡大し、月間生産能力は6万枚を超えると予測されている。

TSMCが公表した資料によると、2nmプロセスでは新たなナノシート（Nanosheet、GAAトランジスタに類似）アーキテクチャを採用し、前世代の3nmプロセスと比較し、同じ電圧で消費電力を24～35％削減し、または性能を15％向上させることが可能で、トランジスタ密度は1.15倍に向上している。

これまで、TSMCの2nm試作工程の歩留まりは65％に達し、Intelの18AやサムスンのSF2を上回っているという噂がある。ただし、TSMCは具体的な歩留まりデータを明らかにしておらず、外部の予想を上回っていると表示した。

2nm技術のハードルが高く、生産がより複雑だが、TSMCは2nmとA16が次世代AIチップの鍵となる技術になると確信している。TSMCの2nmはN2P、A16などの強化した技術シリーズも展開しており、スマートフォンや高性能コンピューティングの顧客により多くの選択肢を提供する。

TSMCによると、2nmの最初2つのプロセス設計の確定件数は3nm、5nmの同時期を上回り、ほぼすべての革新的な顧客と協力しており、5年間で世界のエンド製品価値2.5兆ドル（約368兆円）を牽引すると予想している。

3nmプロセスについては、TSMCはすでに量産3年目に入り、N3E、N3P、N3Xなどの複数の技術バージョンを有している。TSMCは今年の3nm総生産能力が60％以上成長すると見込んでおり、技術と歩留まりのパフォーマンスが良る好なため、最も品質にこだわる自車載用チップ関連製品も今年3nmで生産を開始し、すでに出荷を開始している。

財務報告書によると、今年第2四半期には3nmプロセスがTSMCの収益の24％を占め、当期の収益約2240億新台湾ドル（約1.1兆円）に貢献し、下半期もさらに増加すると予想されている。今後、TSMCの2nm量産は3nmと同程度になる見込みだ。

これまで噂によると、TSMCの2nmウェハー1枚あたりの価格は3万米ドル（約442万円）に達し、3nmより50％高くなり、今後のTSMCの収益と利益成長に寄与するとみられている。

（為替換算レート：1新台湾ドル=5円で計算）

（為替換算レート：1ドル=147円で計算）

（原文：https://www.icsmart.cn/94922/）