上海芯上微装（AMIES）、第500台目露光装置ステッパー納入を達成

2025年8月8日、上海芯上微装科技股份有限公司（AMIES Technology Co., Ltd.／AMIES）は第500台目となる露光装置ステッパーの納入式典を開催した。これは中国国産露光装置ステッパーのリーダー企業としてのAMIESの自主的なイノベーション能力を示すとともに、中国の先端半導体装置産業が新たな段階に入ったことを象徴している。関係政府部門、戦略的顧客、株主代表、業界団体、協力大学などの責任者が式典に出席した。

紹介によると、AMIESの主力製品である先進パッケージング向け露光装置は高解像度、高オーバーレイ精度、超大露光視野などの特徴を備えており、強力なウエハー反りと厚膜レジスト対応能力を持っており、顧客の特定プロセス要求に応じた柔軟な構成が可能だ。これらの装置はFlip-chip、Fan-in、Fan-out WLP/PLP、2.5D/3Dなどの先進パッケージング技術要件を満たし、市場から高い評価を得ている。現在、グローバル市場シェアは35％、中国国内市場シェアは90％に達している。

今回第500台目露光装置ステッパーは盛合晶微半導体（江陰）有限公司（SJ Semiconductor Corp）に納入される。同社は世界有数の集積回路ウェハーレベルパッケージング企業で、GPU・CPU・AIチップなどの高性能チップを対象に、ムーアの法則を超える異種統合技術により「高演算能力・高帯域幅・低消費電力」の総合的性能向上を推進している。近年は先進3DIC加工・統合技術の開発を加速させ、半導体製造サプライチェーンの高度化に貢献している。

AMIESの発表によれば、「盛合晶微（SJ Semiconductor Corp）はAMIESの製品性能・技術力・サービス意識を高く評価している」とし、今後戦略的協力関係をさらに深化させ、先進パッケージング技術の革新と産業発展を共同で推進する意向を示した。

AMIESは「新たな出発点において、技術革新を中核に、製品品質を基盤として、先進パッケージング・ICフロントエンド・第3世代半導体などの分野に持続的に注力する」と宣言し、「製品品質とサービス効率の向上を通じ、中国国内かつ国際競争力を持つ半導体高級装置企業への成長を目指す」という方針を強調した。

公開資料によると、AMIESは2025年2月8日に設立され、高級半導体装置の研究開発・生産・サービスを専門とする革新的技術企業だ。同社はICフロントエンド製造、ウェーハ／パネルレベル先進パッケージング、化合物半導体と新型ディスプレイなどの応用分野向けに高精度・高性能・高信頼性の装置とソリューションを提供している。

同社の技術チームは約600人で、平均年齢は33歳、65％の学歴は修士・博士を取得している。

また、上海市労働模範、上海市優秀技術リーダー、上海市青年科技技術啓明星計画、上海市産業エリートリーダー、浦東明珠計画人材／エンジニアなどハイレベル人材が十数名在籍している。

では、なぜ今年2月に設立されたばかりの中国国内半導体メーカーが、第500台目の露光装置ステッパーの納入を完了したのか？

業界情報によると、「AMIESは中国国産露光装置メーカー上海微電子装備股份有限公司（SMEE）から分社化した独立企業で、独自IPOを計画中」との見方が示されている。

公式サイトの掲載製品によると、AMIESは以下のような装置を保有している：

IC分野：フロントエンドレーザーアニール装置、パワー半導体用レーザーアニール装置、オーバーレイ計測装置、ウェーハ欠陥検査装置、半導体製造用温度制御装置

先進パッケージング分野：ウェハーレベル先進パッケージング露光装置ステッパー、ウェーハレベルバンピングサービス、先進パッケージングの検査装置、先進パッケージング用ウェーハレベルボンダ／アライナー

化合物半導体分野：LED露光装置、化合物半導体用露光装置、SiC用レーザーアニール装置

平板ディスプレイ分野：FPD（フラットパネルディスプレ）用露光装置、光配向装置など

ただし、関連する宣伝資料によると、現在AMIESの主力製品はウェハーレベル先進パッケージング露光装置ステッパー、レーザーアニール装置、および前工程ウェーハ欠陥検査装置だ。

1.ウェハーレベル先進パッケージング露光装置ステッパー

製品概要：この装置は、人工知能や先進的なスマート端末など、各種の高性能チップパッケージン分野に適用され、ウェハレベルのチップスケールパッケージ（WLCSP）、ファンアウトウェハレベルパッケージ（FOWLP）、2.5D/3Dなど、各種のウェハレベル先進パッケージの露光工程の要件を満たすことができる。またこの装置は高解像度、広視野角、プロセス適応性が高いなどの優位性を有している。

2．レーザーアニール装置

製品概要：主にパワーデバイス（IGBT、MOSFET、HEMT）、ロジックデバイス（USJ、S/D、Silicide）またはメモリデバイス（DRAM、Flash）の製造分野において、そのレーザーアニール工程の要件を満たす。

3、前工程ウェハー欠陥検査装置

製品概要：主に集積回路の前工程ウェハー欠陥検査分野に適用され、現像後検査（ADI）、エッチング後検査（AEI）、研磨後の検査（API）、出荷検査（OQC）などの工程段階におけるマクロ欠陥検査のニーズを満たす。また、この装置は、オプションでウェハ表面/裏面およびウェハーエッジの検査機能、オプションで自動欠陥分類の機能をサポートし、傷など検出困難な欠陥を正確に検出可能となる。

（原文：https://www.icsmart.cn/95074/）