中国メモリIC企業／康盈半導体（KOWIN）、総投資額約460億円のメモリチッププロジェクトが正式着工

中国の「衢州製造新城」の公式WeChatアカウントによると、9月29日午前、中国のメモリIC企業である浙江康盈半導体科技有限公司（KOWIN）（以下、康盈半導体）のメモリチップ本部及び産業化基地プロジェクトが衢州智造新城東港地区で正式に着工した。本プロジェクトは、先進的なストレージチップの設計、研究開発、封裝・テストを一体化した総合生産基地を建設する。

関連情報によると、同プロジェクトは総投資額が約23億元（約460億円）、総建築面積が25万平方メートルに達し、ウェーハ研磨・切断から高級封裝・テスト、モジュール製品生産までの工程をカバーし、全産業チェーンを統合した製造基地の構築を目指している。第一期は2026年第4四半期に試運転を開始し、ハイエンドメモリチップの量産体制を構築する予定だ。第二期は次世代メモリ技術の産業化応用に注力し、先進メモリ製品及びハイエンドテスト装置の研究開発・製造基地を建設する。

特筆すべきは、今年3月25日に康盈半導体の徐州テスト基地が正式稼働したことだ。第一期投資額は5000万元（約10億円）で、ウェーハテストエリア、エージングテストエリア、光学検査エリア、スマート包装エリア、信頼性実験室の5大スマートエリアを整備する予定だ。2000平方メートルのクラス1000/10000クリーンルームを備え、国際的に最先端のテスト装置を導入し、ハイエンド市場と高信頼性要求に対応するテストラインを構築する。現在既に稼働中のテストラインは、ウェーハ、フラッシュメモリシリーズ（eMMC）、多チップ封裝シリーズ（eMCP/ePOP）、DRAMシリーズ（LPDDR）等組み込みメモリチップのテストに対応可能だ。2025年の第一期完成時には年間生産能力2000万個、年間生産高3億元超（約60億円以上）を見込み、同時にUFS 3.1/4.0・LPDDR5テスト技術の開発を完了する計画だ。

2026年には第二期プロジェクトを推進し、UFS 3.1/4.0・LPDDR5などのハイエンド製品テストに対応し、年間生産能力は5000万個を目指し、同社のストレージチップテスト能力の幅と深さをさらに強化する。

今年5月には、総投資5億元の揚州康盈半導体産業パークが正式開業し、ストレージモジュールスマート製造基地の本格稼働が開始された。

康盈半導体（KOWIN）について

康盈半導体技術有限公司（KOWIN Technology）は、康佳グループ（KONKA）の半導体産業の重要な一部で、国家ハイテク企業、国家レベルの専門的で新興企業だ。

同社は、組込みメモリチップ、モジュール、モバイルストレージおよびその他の製品の研究開発、設計、販売に取り組んでいる。 主な製品はeMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、SPI NAND、LPDDR、DDR、 SSD、PSSD、Memory Card、メモリースティック、USBフラッシュドライブなどだ。 これらの製品は、スマート端末、スマートウェアラブル、スマートホーム、モノのインターネット、ネットワーク通信、産業用制御機器、自動車用電子機器、インテリジェント医療などの分野で広く使用されている。

（原文：https://www.icsmart.cn/97041/）