12月8日、スイス銀行（UBS）が最新公開したレポートによると、中国の半導体装置大手である北方華創（NAURA）が、90:1の高アスペクト比エッチングにおいて大きな進展を遂げた可能性がある。この種のエッチング装置は、300層を超えるNANDフラッシュメモリの製造に寄与できるという。

UBSは、北方華創が中国国内のNANDフラッシュウェハー工場から受注を獲得できれば、数億ドルから数十億ドル規模の新規市場機会が生まれる可能性があると指摘している。さらに、中国における先進ロジックチップ需要の好調な反応を踏まえ、国内先進ロジックチップ顧客からの収益にはさらなる成長余地があると分析している。

これを受け、UBSは北方華創の2026年および2027年のウェハー製造装置（WFE）売上予測を、それぞれ1％および8％上方修正した。

3D NAND技術の発展に伴い、その積層数はますます高くなっており、現在は300層以上を目指して進化している。これは数百階建ての「超高層ビル」を建設するようなもので、各層間を接続するためには、極めて高いアスペクト比を持つ深穴エッチング装置を用いて、数百階の深さと極めて細い「エレベーターシャフト」を掘り抜く必要がある。

各層の材料の総厚みは固定されている。数マイクロメートルに達する。数百層を相互接続するには、極めて高いアスペクト比を持つ深孔エッチング装置で数百層を貫通させる必要があり、これらの構造は真っ直ぐで均一、かつ互いに干渉しないことが求められる。また、単位面積あたりにより多くのメメモリーセルを詰め込むためには、各垂直チャネル穴の直径を非常に小さくする必要があり、現在は数十ナノメートルのオーダーにまで達している。200層を超える3D NANDの場合、このアスペクト比は容易に60:1を超え、層数の増加（より深く）とプロセスの微細化（穴径の縮小）に伴い、この比率はさらに増大しており、300層を超える3D NANDでは90:1、さらには100:1に向かって進んでいる。これは半導体製造において最も要求の厳しいエッチングプロセスの一つだ。

特筆すべきは、中国エッチング装置リーダー企業である中微公司（AMEC）が既に、メモリ分野で要求される高アスペクト比の深穴エッチングにおいて、90:1の深穴エッチングを実現し、100:1の深穴エッチングの突破に取り組んでいると発表していたことだ。

（原文：https://www.icsmart.cn/99532/）