人工知能（AI）需要の爆発的拡大を受け、2025年の世界DRAM及びNAND Flash市場は継続的な供給不足と価格の急騰に見舞われた。2026年を目前に控え、業界関係者は第1四半期のDRAM契約価格が少なくとも30%上昇し、中でもDDR4は50%超の値上がりを見込んでおり、市場の需給逼迫が依然として深刻な状態にあることを示している。2026年1月には、NAND Flash価格も10～20％の上昇が予想される。

DDR4、来年第1四半期に50％超の高値更新か

DRAM市場において、主要3社がDDR4の生産を段階的に縮小し、AIデータセンター向け高付加価値製品であるHBM（High Bandwidth Memory）やDDR5などへの生産シフトを進めているため、DDR4関連製品の供給は極度に逼迫している。これがDDR4価格の特に顕著な上昇要因となった。

市場データによると、例としてDDR4 8Gb（1G×8、3200）の第4四半期契約価格は第3四半期比42.9％増、現行品価格は実に197％も急騰しており、DDR4の需給不均衡が拡大を続けている実態が浮き彫りとなっている。2026年第1四半期には同製品の契約価格がさらに50％上昇し13.5ドル（約2,093円）に達すると予想され（2025年6月時点の契約価格は約4.12米ドル、約639円）、現行品価格に迫る水準となる見込みだ。

DDR4価格がこれほど急騰した背景には、川上メーカー側の供給減少に加え、AIデータセンター需要による生産能力の押し上げ効果が挙げられる。これはDDR4だけでなく、民生市場向けDDR5の生産にも影響を及ぼしている。このため、一部顧客がDDR4の調達難から製品設計をDDR5へ切り替えようとしたものの、同様に供給不足と価格上昇に直面し、再びDDR4に回帰せざるを得ない状況が生じており、DDR4価格の上昇圧力をさらに高めている。

価格の大幅な上昇に伴い、DDR4の収益構造も明らかに改善している。市場推計では、2026年第1四半期のDDR4 8Gb製品の契約価格に基づく粗利益率は約50％に迫り、HBMの約60～70％との差が縮小、DDR5と同水準に近づくとみられる。

この変化を受け、一部DRAMメーカーはDDR4の生産終了（EOL）計画の見直しを迫られている。最新情報によれば、サムスン電子はDDR4の生産終了を2026年末まで延期し、中長期契約への意欲を高めているという。同社は2026年第1四半期に特定顧客と、キャンセルや返品ができない「NCNR」長期供給契約を結び、主にサーバー向け注文を確保して自社の生産計画の最適化と利益最大化を図るとの観測もある。SKハイニックスも同様にDDR4生産終了を2026年以降に延期すると見られる。

一方、DDR4などのニッチ市場に注力するメモリメーカー、南亜科技（Nanya）と華邦電子（Winbond）は、新たな資本支出計画を積極的に開始し増産に動いている。中長期的な設備投資額はそれぞれ1000億ニュー台湾ドル（約4,950億円）、400億ニュー台湾ドル（約1,980億円）に上るが、新規生産能力が本格的に稼働するのは早くても2027年以降となるため、短期的な供給改善は難しい状況だ。

AI需要がDRAM生産能力の20％を消費、DDR5価格も上昇続く

同様に、DDR5市場の需給も非常に逼迫している。AIサーバーやハイパフォーマンスコンピューティングプラットフォームが先進プロセスの生産能力を大量に吸収しているため、民生市場向けDDR5の供給割合は低下の一途をたどっている。業界関係者は、2026年第1四半期にはDDR5の供給不足リスクがDDR4を上回り、価格変動幅がさらに拡大する可能性があると見ている。

現在、AI開発の焦点は「学習」から「推論」へ急速に移行している。クラウド推論需要の急増に伴い、AIサーバー向け高速メモリ（HBM、GDDR7）の需要が大幅に増加。主な要因は、推論時に大量の「中間状態データ」を保持する必要があり、単一ユーザーまたは単一AIエージェント当たりのメモリ容量要求が桁違いに拡大する点にある。

「100万トークン」の長文脈を例にとると、FP8（8ビット浮動小数点）のような容量効率の良い形式を用いたとしても、推論プロセスには中間状態を保存するために約60GBの高速DRAMが必要となる可能性がある。FP16形式を使用すれば、必要容量は100GB以上に倍増する。現在一般的な8Kトークン（約1GB）と比較すると約60倍の増加となり、AI拡大に伴う隠れたコスト要因となっている。

Google（Gemini）、AWS（Bedrock）、OpenAI（ChatGPT）の主要3大クラウドプラットフォームを基に推計すると、2026年の推論向け高性能DRAM需要は合計約750ペタバイト（PB）に達し、これは主にHBMとGDDR7が担う。しかし、実際の導入には冗長性と安全性確保のための余剰が必要なため、実質的なDRAM需要は約1.5エクサバイト（EB）に膨らむ見込みだ。これにMeta、Appleのプライベートクラウド及び中国本土市場の約800PBの高速DRAM需要、次世代モデル学習に必要な約500PBの需要を加えると、業界関係者は2026年のクラウドGPU向け高速DRAM総需要が3.0EBに達すると予想している。

重要な点は、この3.0EBという数値がそのままDRAM生産能力の消費量を表すわけではないことだ。高速DRAMは「ウェーハ生産能力をより多く消費する」。業界では一般的に、1GBのHBMは標準DRAM 4GB分の生産能力に相当し、1GBのGDDR7は約1.7GBの標準DRAM生産能力に相当すると換算されている。

2026年の世界DRAM生産能力を約40EBと推計すると、AIが必要とする高性能DRAMが占める割合は約20％に達する見通しだ。一方、DRAM生産能力の年間増加率は10～15％程度にとどまるため、PC、スマートフォン、従来型サーバー向けの標準的なDDR5などへの供給が圧迫され、供給不足と価格上昇圧力が同時に高まることが確実視されている。

この趨勢のもと、DRAMメーカーはHBMやGDDR7などの高付加価値製品への生産集中をさらに進める意向が強く、従来型DRAM（DDR4／DDR5を含む）の生産能力はより一層圧迫され、市場はより明確な価格上昇圧力に直面することになりそうだ。

来年1月、NAND Flash価格も10％超上昇へ

AI市場はDRAM需要をより大きく牽引しているが、AIが後押しするエンタープライズSSD需要により、NAND Flashの供給も持続的に逼迫し、価格は上昇を続けている。

TrendForceの調査によれば、2025年11月のNAND Flash需要全体はAIアプリケーションとエンタープライズSSD受注に強く牽引され、メーカーは収益性の高い高機能製品やエンタープライズ向け製品への生産能力配分を優先。また、旧式プロセスの生産能力が急速に縮小しているため、NAND Flashウェーハの供給状況はさらに逼迫し、11月の主力ウェーハ契約価格は全面大幅上昇、各製品の平均月次上昇率は20％から60％以上に達し、上昇傾向は全容量帯に急速に広がった。

例えば、1Tb TLCはエンタープライズSSD需要の継続的成長により供給不足が最も深刻化し、11月平均価格は大幅に上昇した。512Gb TLCは旧プロセスからの生産移行により供給が急減した上、市場需要が堅調だったため価格上昇率が11月のTLCシリーズで最も高く、月次65％超の上昇となった。256Gb TLCも旧プロセス終了の影響で供給量が再び減少し、価格は顕著に上昇を続けた。エンタープライズ向け大容量製品需要の急拡大とコールドストレージアプリケーションの出荷加速により、QLCの供給も明らかに逼迫、1Tb QLCの11月平均価格も大きく上昇した。MLC製品は産業用及び民生品需要に支えられ、平均価格は上昇を続けている。

エンタープライズ向けSSD需要の急拡大を背景に、NAND Flashメーカーは「高利益率製品への優先供給」戦略を継続。この価格上昇傾向は2025年末の契約価格から広がり始め、2026年初頭にはコンシューマー向けSSDやUFSモバイルストレージ製品に全面反映されるとみられる。

市場関係者は、2026年1月のNAND Flash価格上昇率が約10～20％の範囲に収まると予想している。

（原文：https://www.icsmart.cn/100267/）

（為替換算レート：1米ドル=155円、1ニュー台湾ドル＝4.95円で計算）