12月14日‐ファウンドリー（半導体の受託製造）世界最大手の台湾積体電路製造（TSMC）は、IEEE国際電子デバイス会議（IEDM）のパネルセミナーで、2nmプロセス技術の量産を2025年に予定しており、さらに先進の1.4nmプロセス技術の研究開発も進めていることを明らかにした。

海外メディアの報道によれば、TSMCの1.4nmプロセス技術の正式名称は「A14」と呼ばれているが、量産の時期や詳細なパラメータについては明らかにされていない。2nmは2025年末の量産が確定しており、次いでN2Pは2026年末の量産となることから、A14プロセスは2027～2028年の量産になると予想される。

技術的な面では、A14プロセスはTSMCの第2世代または第3世代のゲートオールアラウンドフィールドエフェクトトランジスタ（GAA-FET）を採用する予定であり、バックサイドパワー供給技術も導入される予定だ。また、最新のHigh-NAEUV露光装置を使用して製造が行われる予定だという。High-NAEUV露光は、マスクサイズを半分にするため、チップデザイナーや製造業者に新たな要求と課題をもたらすことが予想されている。

（原文：https://www.icsmart.cn/71343/）