1月17日-中国のDRAM需要と供給は、生成AI技術の急速な発展とともに成長を続けている。 市場調査会社Counterpoint Researchはこのほど、中国のDRAMメーカー長鑫存儲（CXMT）は技術的ボトルネックや米国の対中規制という課題に依然として直面しているものの、技術の進歩と市場の拡大を通じて世界の主要DRAM企業との差を徐々に縮めているとのレポートを発表した。
Counterpoint Researchによると、中国のDRAM市場は成長を続けており、CXMTは2024年には世界のDRAM生産能力の13％、出荷量の約6％、売上高の約3.7％を占め、2025年にはMicronの生産能力に近づくと予想されている。 現在、CXMTの生産量と売上高が低い理由としては、主に技術の後進性、歩留まりの低さ、価格の安さなどが挙げられるが、この差は今後徐々に縮まっていくと予想される。
Counterpoint Researchは、CXMTは消費電力と読み書き速度を改善するために、高誘電体メタルゲート（HKMG）トランジスタの実装に成功する必要があると指摘している。 同社のLPDDR4の歩留まりは現在約80％だが、2025年の戦略製品であるDDR5の歩留まりはまだ50％を超えていない。
CXMTは現在、低消費電力プロセスを必要とするモバイル市場に参入しており、中国の巨大な需要を取り込むことができる。 さらに、Counterpoint Researchは、生成AIと電気自動車市場の成長も、中国のメモリー産業、特にミッドエンドとローエンド製品市場に新たなチャンスを開くと予想している。
米国が中国への半導体装置の輸出を規制しているため、中国は3D技術の利用や主要部品・材料の国産化によってその差を縮めようとしている。 中国の国内産業に対する装置輸出規制は、困難ではあるが、中国に装置と材料の国産化を加速させることを促しており、今後1-2年間は中国の装置国産化を拡大することが課題として残っている。
Counterpoint Researchのリサーチ・ディレクターであるMS Hwang氏は、中国のメモリー産業の台頭が世界市場の展望を変える可能性があると指摘した。 技術や歩留まりの面ではまだ課題があるものの、中国は、生成AIや電気自動車などの新興アプリケーションからの需要が高まるにつれて、ローレンジおよびミッドレンジ市場で確固たる地位を確立すると予想される。 同時に、継続的な技術革新と国際化戦略が中国のメモリー産業の問題解決のカギとなると考えられている。