（画像出典：人民網）

中国パワー半導体大手Silan Microelectronics（士蘭微電子）系のXiamen Silan Jihong Semiconductor（厦門士蘭集宏半導体）は2月28日午前、8インチ炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスチップ製造ラインプロジェクト（第1期）の竣工式を行った。総投資額120億元（約2496億円）規模の半導体プロジェクトが本格稼働に向け重要なマイルストーンを達成した。

同プロジェクトは総敷地面積13.63万平方メートル、延べ床面積23.97万平方メートルの大規模施設を2期に分けて整備。第1期（総投資額70億元、約1456億円）では年間42万枚の8インチSiCチップを生産可能で、年間売上高67億元（約1393.6億円）を見込む。全ライン稼働時には年産72万枚体制となり、厦門市の次世代産業育成と新たな生産力創出を強力に後押しする。

主要施設構成では第1期工場が18.7万平方メートルを占め、クリーンルームを備えた主棟に加え、動力センター・試験分析棟・廃水処理施設などが整備された。2024年6月の着工から驚異的なスピードで建設が進み、中国建築第三工程局（CSCEC3）の関係者によれば「1800名の作業員が昼夜体制で施工、105日目に全体竣工を達成した」という。

今後は内装工事と生産装置の導入段階に移行。2025年第3四半期に試運転を開始し、同年末までに月産2万枚体制の確立を目指す計画だ。SiCパワーデバイスはEVや再生可能エネルギーシステムの核心部品として需要が急拡大。本プロジェクトの早期量産化が中国半導体産業のサプライチェーン強化に寄与すると期待される。

（為替換算レート：1人民元=20.8円で計算）

（原文：https://www.icsmart.cn/89003/）