北方華創(NAURA)、中国国内160億元市場に参与 イオン注入装置市場へ進出
2025-03-27半导体EV半导体

3月26日、SEMICON China 2025において、北方華創(NAURA)は正式にイオン注入装置市場への参入を発表し、初のイオン注入機「Sirius MC 313」を発表した。この動きは、北方華創(NAURA)が半導体コア装置の戦略的レイアウトにおいてまた重要な一歩を踏み出したことを示しており、露光装置を除く全ての半導体前工程製造装置をほぼカバーする形となった。



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ウェハ製造プロセスには、拡散(Thermal Process)、露光(Photolithography)、エッチング(Etch)、イオン注入(Ion Implant)、薄膜成長(Dielectric Deposition)、化学機械研磨(CMP)、金属化(Metalization)という7つの主要工程がある。これに対応する7種類の製造装置は、拡散炉、露光装置、エッチング装置、イオン注入機、薄膜堆積装置(PECVD、LPCVD、ALD等を含む)、化学機械研磨装置、洗浄装置だ。



イオン注入機はチップ製造における重要な装置だ。チップ製造プロセスでは、材料の電気的特性を所定の方法で変更するために異なる種類の元素をドーピングする必要があり、これらの元素は帯電イオンの形で所定のエネルギーまで加速され、特定の半導体材料に注入される。イオン注入機はこのドーピングプロセスを実行するチップ製造装置だ。



具体的には、イオン注入機はイオン源、イオン導入部と質量分析器、加速管、走査システム、プロセスチャンバーで構成されており、実際の必要に応じて二次的な部分を省略することができる。イオン源はイオン注入機の主要部分で、注入が必要な元素の気体粒子をイオン化する役割を果たし、注入するイオンの種類とビーム強度を決定する。イオン源の直流放電または高周波放電によって生成された電子は衝突粒子として機能し、外部電子のエネルギーが原子のイオン化ポテンシャルよりも高い場合、衝突によって元素がイオン化される。衝突後には元の電子に加えて陽電子と二次電子が現れる。陽イオンは質量分析器に入り、必要なイオンが選別された後、加速器によって高いエネルギーを得て、四重極レンズで集光された後ターゲットチャンバーに入り、イオン注入が行われる。



エネルギー範囲と注入量範囲の違いにより、一般的な量産型イオン注入機は主に3種類に分けられる:低エネルギー大ビーム電流注入機、中ビーム電流注入機、高エネルギー注入機だ。このうち、高エネルギーイオン注入機のエネルギー範囲は数MeV(百万電子ボルト)に達する必要があり、イオン注入機の中で技術的難易度が最も高い機種だ。



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これまで、イオン注入機の国産化率は低く、市場の大部分はApplied Materials、Axcelis、SEN、AIBTなどの国際ブランドに独占されていた。特に高エネルギーイオン注入機市場では、国内の技術はさらに弱かった。近年、中国国内半導体装置の代替需要の高まりに伴い、中国電科(CETC)、上海凱世通(Kingstone)、北京烁科(SEMI)などの国産イオン注入装置メーカーも急速に進歩している。



今回の北方華創(NAURA)のイオン注入装置市場への参入と初のイオン注入機「Sirius MC 313」の発表は、間違いなく中国のイオン注入装置分野におけるさらなるブレークスルーを支援することになる。



関係者によると、北方華創(NAURA)は20年以上にわたる半導体装置開発分野での深耕により、プラズマ制御、電磁界制御、高周波技術、組み込み開発、アルゴリズム及びシミュレーションなどの重要技術分野で深い技術的蓄積を築いてきた。同時に、北方華創はこれまでにエッチング、薄膜堆積、拡散炉、洗浄装置の4大カテゴリー、300機種以上の装置をカバーする包括的な技術プラットフォームの構築に成功している。



現在、北方華創(NAURA)はイオン注入装置のビーム制御、ビーム調整アルゴリズム、投与量精密制御などの重要技術で多くのブレークスルーを達成し、エネルギー精度が高く、投与均一性に優れ、注入角度制御精度が高いという特徴を備えた高級イオン注入装置を自主開発した。



国際半導体産業協会(SEMI)のデータによると、2024年の世界イオン注入装置市場規模は276億元(約5,705億円)に達し、2030年までに307億元(約6,346円)に達すると予想されている。



北方華創(NAURA)は、今回のイオン注入装置分野への参入により、国内160億元(約3,307億円)の市場を開拓し、中国の半導体装置が高級市場でさらなる発展を実現することを強力に推進するとしている。



今後の展望として、北方華創(NAURA)は、イオン注入装置の全カテゴリー展開を実現することを目標に、ロジック、メモリ、特殊プロセス及び化合物半導体などの分野を全面的にカバーするイオン注入装置の展開を推進するとしている。北方華創は引き続き研究開発への投資を拡大し、顧客に高性能で高信頼性のイオン注入ソリューションを提供し、中国国内半導体装置産業に新たな活力を注入し、産業の技術進歩と発展を推進し、中国半導体産業が世界的な競争環境でより大きな飛躍を実現できるよう支援する。






(為替換算レート:人民元1元=20.67円で計算)

(原文:https://www.icsmart.cn/90001/)

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