車載用パワー半導体「ZMJ Semiconductors（真茂佳）」、SiC/GaN全シナリオ対応ソリューションを発表
車載用パワーデバイス分野の専門メーカーである真茂佳（Shenzhen ZMJ Semiconductors Co., Ltd 以下、「ZMJ社」と略称）は、最近、上海ミュンヘン電子展に全電圧カバー・全シーン適応の SiC 製品群を出展した。業界に高性能デバイスを提供し、クライアントが効率的なエネルギー時代で先手を取れるよう支援する。
全電圧対応：技術突破と性能の全面的向上
今回の展示会で、ZMJ社は 650V-3300V のフルシリーズの SiC 製品を展示した。
650V-1200V 車載 / 非車載向け：新エネルギー自動車の電動駆動システム、OBC（車載充電器）及び DC-DC コンバーター向けに、超低導通抵抗（RDS (on)）と高速スイッチング特性を備えており、車両全体のエネルギー効率比を顕著に向上させ、800V 高電圧プラットフォーム車種がより長い航続距離とより短い充電時間を実現することを助ける。
1700V-3300V 産業用及び太陽光向け：太陽光発電インバーター、蓄電池用コンバーター、柔軟な直流送電などの分野向けに、高耐圧性、高信頼性、耐サージ能力でメガワット級システムの安定運行を保障し、ライフサイクル全体の度電コストを低下させる。
多様なパッケージ：柔軟な適応性と高密度集積
分離型デバイスには TO247、TO263、T2PAK、TOLL パッケージが含まれる。モジュールには HSOP8、ハーフブリッジ、B6 ブリッジ、TNPC などの形式がある。
ZMJ社は今回の展示会で、蓄電分野に適用する 3300V 640mΩ の TO263-7 単一トランジスタ、電動駆動用の 1200V 20mΩ HSOP8 モジュール、OBC などの高周波分野に適用する 1200V 40mΩ の TO247-4 単一トランジスタと 1200V 60mΩ の T2PAK 単一トランジスタ、太陽光充電ステーション用の 1200V 10mΩ easy 1b ハーフブリッジモジュールと 1200V 30mΩ easy 1b フルブリッジモジュールを重点的に展示した。
異なる分野に適応するシリーズ製品
以下、ZMJ 社の代表的な製品のいくつかを紹介する：
●SHVSiC シリーズ：ZMC100KR330B7 は 3300V 640mΩ の TO263-7 単一トランジスタで、蓄電などの超高電圧用途に適しており、耐圧能力が強く、BV>4000V の高い安全余裕を持つ。RDS (on)×Qg の優值が小さく、性能が優れている。
●RobustSiC シリーズ：ZMCA020R120H8 は 1200V 20mΩ の HSOP8 モジュールで、モーター用途に適しており、GOX 信頼性が高く、短絡時間 Tsc>3μs で、耐アバランチ能力が強く、AECQ 基準を超える 2000H HTRB、HTGB試験に合格できた。
●SpeedSiC シリーズ：ZMCA040R120C4 は 1200V 40mΩ の TO247-4 単一トランジスタで、電源の高周波用途に適しており、優れた Rsp、RDS (on)×Qgd、RDS (on)×Coss 特性を持ち、Qgs/Qgd が高く、寄生ダイオードの導通に対する抵抗が強く、同時に業界をリードする Eon/Eoff 特性を備えている。
●ZMC100KR170C3 は 1700V 1000mΩ の TO247-3 単一トランジスタで、車載用/産業用向けに対応し、Vgs=18V/12V 駆動に互換性があり、優れた Rsp と RDS (on)×Qgd 特性を持ち、高周波用途に適している。
ZMJ社、上海ミュンヘン電子展で革新的な第三世代半導体を展示
今回の上海ミュンヘン電子展で、ZMJ社は最新開発の強化型 GaN トランジスタを重点的に展示しており、また、8 インチ GaN ウェハを披露し、多くの業界関係者に注目された。
1. 展示された第三代半導体製品
今回展示された 100V 強化型 GaN トランジスタは QFN 3×5 パッケージを採用し、主なパラメータは以下の通り：
・耐圧：100V
・閾値電圧（Vth）：～2V
・最大導通抵抗（Rds (on)）：3.8mΩ
この製品はモーター駆動、DC/DC コンバーターなどの高効率電源用途に適しており、特に 40V～60V を 5V～12V に降圧する高パワー密度モジュール設計に適している。2025 年第 4 四半期には、真茂佳は WLCSP パッケージバージョンも推出し、レーダー、D クラスオーディオアンプなど更に広範な用途に適応できるようにする予定だ。
2. 製品の核心的な優位性
（1）高信頼性ゲート設計：特許保護された ESD 構造を採用し、HBM（人体放電モデル）の静電気保護能力が ±2000V に達し、過酷な環境下でのデバイスの安定性を向上させた。
（2）高効率・低損失：3.8mΩ の超低導通抵抗で、スイッチング損失を減少させると同時に、システムのエネルギー効率を向上させた。
（3）フレキシブル・パッケージング・ソリューション：現在は QFN パッケージを提供し、産業用電源モジュールに適している； 小型化、低寄生容量、高集積化のニーズに対応するため、WLCSPパッケージが続く予定。
現場での交流と協力
展示会期間中、ZMJ社のチームは複数の業界クライアント及びパートナーと、GaN 技術が電源管理、モーター駆動、レーダーなどの分野での応用について深入りに検討し、貴重な市場フィードバックを収集した。
ZMJ Semiconductors（真茂佳）について
Shenzhen ZMJ Semiconductors Co., Ltdは先進的なパワー半導体設計と特色あるパッケジングテストプロセスを専門とするハイテク企業だ。同社はクライアントに高性能、高信頼性のパワーエレクトロニクスソリューションを提供することに力を入れている。第三代半導体分野において、同社は継続的に研究開発に投資しており、製品性能を最適化し、更多の応用シーンを開拓し、業界のイノベーションを支援する。