中国の第3世代半導体企業「基本半導体（BASiC Semiconductor）」はこのほど新世代シリコンカーバイド（SiC）MOSFETシリーズを正式リリースした。製品性能がさらに向上し、パッケージ形態も多様化。初回ラインアップは自動車用駆動系向け1200V/13.5mΩ・750V/10.5mΩシリーズ、太陽光発電・蓄電システム向け1200V/40mΩシリーズ、AI計算処理向けの電源・家庭用蓄電インバーター向け650V/40mΩシリーズで構成される。
特に650V/40mΩシリーズはセル間隔を4.0μmに微細化し、低電圧域で高い性能を実現可能。最終製品のシステム効率と高温耐性を大幅に向上させ、エネルギー損失を低減。新エネルギー分野における高効率・低コストなパワーデバイスソリューションを推進する。
▲表1 次世代SiC MOSFETパラメータ一覧
■国際競合品とのスイッチング損失比較
▲図１ 次世代1200V 13.5mΩ SiC MOSFETのスイッチング損失比較
常温/高温環境におけるEoff/Etotal損失がW社/O社製競合品を上回り、高温時のEon損失はW社品に近似
図２ 次世代650V 40mΩ SiC MOSFETのスイッチング損失比較
全温度域でW社/S社製競合品と同等の低損失特性を達成
■多様なパッケージ形態
▲表2 次世代SiC MOSFETパッケージラインナップ
1200V/13.5mΩ：TO-247-3/TO-247-4
1200V/40mΩ：TO-247-3/TO-247-4/TO-263-7/HSOP8
650V/40mΩ：TO-247-3/TO-247-4/TO-263-7/TOLL/TOLT
高電力密度・低コスト設計の次世代アプリケーション開発を包括支援
■車載規格を超える信頼性検証
厳格なクローズドループ開発体系を構築し、全製品が自動車規格を上回る信頼性試験をクリア：
高温逆バイアス（HTRB）：Tj=175℃/VDS=定格電圧100%/1000時間
高温高湿逆バイアス（H3TRB）：TA=85℃・85%RH/VDS=80%/1000時間
高温ゲートバイアス（HTGB+/-）：Tj=175℃/VGS=+22V・-10V/1000時間
■パッケージ特性
TO-263-7：表面実装型/コンパクト設計/ソース端子特殊構造による低損失・低ノイズ
HSOP8：薄型多ピン配置/放熱構造搭載/優れた電気特性
TOLL：リードレス設計/低封止抵抗・寄生インダクタンス/底面放熱で大電流対応
TOLT：上面放熱構造/厳しい熱管理要件向け高信頼性設計
■主な応用分野
1200V 13.5mΩ：EV主駆動インバーター/PCS/APF
1200V 40mΩ：太陽光発電/蓄電システム/充電スタンド/溶接機/EV車載充電器（OBC）・空調圧縮機
750V 10.5mΩ：EV主駆動インバーター/OBC・DCDCコンバーター
650V 40mΩ：AI演算電源/マイクロインバーター/通信電源/蓄電システム
基本半導体は「新製品はオン抵抗・スイッチング損失・熱抵抗等のコアパラメータで業界トップレベルを達成した」と強調した。技術革新とプロセス最適化を通じ、高信頼性パワー半導体ソリューションの提供を継続。今後も研究開発投資を拡大し、技術的限界の突破に挑戦。パートナー企業と連携してクリーンエネルギー技術の発展を推進し、高効率・持続可能なエネルギー体系の構築に貢献すると表明した。