5月29日、中国台湾の半導体パッケージング大手、日月光半導体（ASE）は、次世代AI（人工知能）やHPC（高性能コンピューティング）向けにTSV（シリコン貫通ビア）技術搭載の最新パッケージング技術「FOCoS-Bridge」（FOCoSブリッジ）を発表した。

発表によると、ASEのFOCoS-BridgeはTSV技術を活用することでより短い伝送経路を実現し、より高いI/O密度と高性能放熱特性を提供し、帯域幅のニーズに対応できるという。TSVの統合により、ASEのVIPack FOCoS-Bridgeの技術能力が拡張され、AIおよびハイパフォーマンス・コンピューティング（HPC）アプリケーションの需要が高いときに重要なエネルギー効率を提供できる。

チップレット（Chiplet）と高帯域幅メモリ（HBM）の統合には、より高速の並列データ接続を実現し信号完全性を維持するため、より高い相互接続密度が求められるという。高密度相互接続はチップ統合の鍵となる技術だ。AIおよびHPCの電力供給要求がますます複雑化するにつれ、TSVを備えた先進的なブリッジチップが必要となっている。VIPack FOCoS-Bridgeプラットフォームは、受動チップおよび能動チップを埋め込むことを通じ、性能を向上させるという。

ASEの専務副社長、Yin Chang氏は「スマート製造システム、自動運転技術から次世代小売インフラストラクチャー、精密医療に至るまで、AIは様々なアプリケーションに浸透しつつあり、コンピューティング需要とエネルギー効率需要の増加を推進している。TSVを備えたFOCoS-Bridgeを発表したことは、ASEの統合ソリューションがAIエコシステムを支援するというコミットメントを示している。このイノベーションは当社のVIPackを強化し、持続可能なハイパフォーマンス・コンピューティング・アーキテクチャに向けて、最適化された高密度パッケージングプラットフォームを提供する」と述べた。

VIPackプラットフォームの拡大は、AIの急激な需要を満たすため、持続可能なハイパフォーマンス・コンピューティング向けのエコシステムを提供するという考えを反映している。ASEのTSV搭載FOCoS-Bridgeは、高電力・高帯域幅システム向けの異種統合を通じて、次世代AIおよびHPCの性能要求を満たすことができる。現在、ASEは同一のファンアウトモジュール2つで85mm x 85mmのテストベヒクル（Test Vehicle）を構成することが実現されている。これは各モジュールが4つのTSVブリッジチップおよび10個の集積型パッシブデバイス（IPD）チップを用いて、1つのASICチップと4つのHBM3チップを横方向に相互接続している。

従来の横方向の信号接続を結合し、TSVブリッジチップは電力供給に対しより短い垂直経路を提供する。TSVは受動素子ともに再配線層（RDL）に埋め込まれ、ライン幅/ライン間隔5µmの3層RDLで相互接続されている。FOCoS-Bridgeと比較して、FOCoS-Bridge TSVは電気抵抗とインダクタンスをそれぞれ72%および50%大幅に削減した。

ASEの研究開発所長・李德章（リー・トクショウ）氏は「HPCおよびAIの応用は高性能コンピューティングの需要を加速しており、ASEのFOCoS-BridgeはSoCおよびChipletsと高帯域幅メモリのシームレスな統合を可能できるようになっている。TSVの採用により、FOCoS-Bridgeはコンピューティング効率とエネルギー効率を高め、当社の先進パッケージング技術ポートフォリオを新たなレベルへと引き上げている」と強調した

ASEのエンジニアリングおよび技術プロモーション所長・Charles Lee氏は「ASEは長年にわたり、パッケージング産業の最前線に位置し、高電力AIおよびHPCアプリケーション向け先進パッケージングのリーダー企業と言えるだろう。当社の強みは、急速に進化している市場において、顧客のニーズを満たす革新的技術を提供する能力にある」と表示した。

（原文： https://www.icsmart.cn/92538/ ）