7月23日、「天成半導体（Tiancheng Semiconductor）」公式WeChatアカウントの発表によると、2025年第2四半期、山西天成半導体材料有限公司（Tiancheng Semiconductor）は、12インチ（300mm）N型炭化ケイ素（SiC）単結晶材料の開発に成功したという。

発表によれば、天成半導体は一貫してSiC材料の研究開発と生産に注力し、大口径化プロセスおよび低欠陥化N型単結晶材料の成長プロセスといった課題を克服してきた。12インチN型SiC単結晶材料の開発成功は、同社の重要なマイルストーンと同時に、新たな段階への第一歩となった。

天成半導体は、今後、大口径化SiC単結晶材料の量産技術確立に向けて全力を挙げるとともに、研究開発投資を深化させ、技術的なリーダーシップを維持していく方針を示したという。

（原文：https://www.icsmart.cn/94503/）