7月23日、中国台湾メディアDigiTimesの報道によると、中国本土のDRAMメーカー・長鑫存儲技術（CXMT）はDDR5およびLPDDR5 DRAMのプロセス改良を積極的に推進している。サプライチェーン関係者からの情報として、CXMTのサンプルが最近のテストで中国台湾のDRAM大手の南亜科技（Nanya Technology）の製品と同等の品質を達成し、2025年末の量産を目標としていることが明らかになった。

情報によると、CXMTは2024年末にDDR5メモリの生産を開始したものの、当時は第4世代DRAMプロセス（約16nm、2021年にサムスンが発表した第3世代10nm級ノードのDDR5に相当）を用いて16GB DDR5チップを製造していたという。このため、CXMTのDDR5チップはサムスン製よりサイズが40%大きく、製造コストが大幅に上昇した。

また、コスト以外にも課題が存在した。初期サンプルテストでは、密閉システムにおけるDDR5メモリモジュールの動作温度（約60°C）での安定性問題や低温動作不良が判明したという。そのため、CXMTはDDR5の設計を変更し、新しいフォトマスクを製造した。これにより、DDR5メモリの量産は延期されていた。

DigiTimesの情報によれば、関係者は当初2025年5～6月の量産開始を見込んでいたが、7月時点でも確証は得られていない。チップの熱問題は改善されたものの、DDR5の歩留まりは約50%と低迷し、商業用DRAMとして許容できない水準にあるという。

サプライチェーン関係者は「採用における歩留まりの達成には、CXMTはさらなる改善と製造ノウハウの蓄積が必要で、これにより量産開始時期がさらに遅れる見込みだ」と指摘した。現在、CXMTの目標は2025年末までDDR5の量産を開始することだ。

最近、CXMTはDDR5チップを搭載したモジュールのテスト結果によると、その品質と性能は著しい向上を遂げており、ほぼ中国台湾の南亜科技（Nanya）製と同等水準に達しているという。これらの製品が主要PCメーカーやモジュールベンダーの検証を経れば、CXMTが成熟DRAMサプライヤーとの差を縮めていることを示すだろう。ただし、現状では歩留まり問題から量産に至っておらず、DDR5市場で有力な競合相手と見なすのは時期尚早だという。

（原文：https://www.icsmart.cn/94496/）