1月12日消息，据台媒《经济日报》报道，存储芯片缺货、涨价热潮，已经蔓延至下游封测领域。

受益于DRAM与NAND Flash大厂加足马力冲刺出货，力成、华东、南茂等存储器封测厂订单涌进，产能利用率直逼满载，近期陆续调升封测价格，调幅最高达30%。 相关封测厂透露，订单真的太满，后续不排除启动第二波涨价。

力成、华东、南茂等存储封测报价调涨后，涨价效益将从首季起逐步反映在财报数字，若后续再启动第二波涨价，今年将成为存储器封测业价量齐扬的一年，相关业者2026年业绩将吞大补丸。

对于涨价议题，遭点名的存储封测厂均相当低调，仅强调报价会依照市场需求，进行弹性调整。

业界分析，随着三星、SK海力士、美光等三大存储芯片原厂全力扩充AI用的HBM产能，资源集中在先进制程与先进封装，同步排挤标准型DRAM与NAND芯片产出，使得旧规格产品供给转趋吃紧。

伴随云端、工控等需求回温，DDR4、DDR5与NAND芯片拉货动能强劲，进一步点火后段封测需求，中国台湾主要存储封测厂力成、南茂、华东产能利用率均已逼近满载，因而顺势调升报价，涨幅最高30%，不排除后续视供需状况，再启动第二波涨价。

力成为全球DRAM、NAND芯片封测龙头。 供应链透露，力成目前DRAM封测产能利用率几近满载，NAND产能利用率亦维持高档，客户多为国际一线内存大厂，本波涨价效应有望直接反映在毛利率与获利，营运表现堪称族群指标。

华东以利基型存储封测为主，过去一年受工控与特殊应用需求调整影响较深，不过现阶段工控客户已陆续恢复下单，库存去化告一段落，需求回到正常水位以上。 在整体存储器产业迈入“景气超级循环”大环境下，华东产能利用率明显拉升，订单能见度转强，后市可期。

南茂则是此次传统DRAM市况复苏的代表性受益封测厂。南茂的NAND产品线于营收比重相对较低，但在DRAM领域着墨甚深，目前营收结构中，DDR4约占七至八成，是支撑营运的核心产品。

（原文：https://www.icsmart.cn/100728/）