
纬创高雄研发大楼一期新建工程动工
2026-03-03半导体行业动态半导体中国国产化

3月2日,电子代工大厂纬创资通于中国台湾省高雄市前镇科技园区举行“高雄研发大楼一期新建工程开工动土典礼”。该典礼由纬创总经理暨执行长林建勋亲自主持,预计一期新建工程预计于2028年12月兴建完成。
据介绍,纬创资通高雄研发大楼一期项目整体投资计划共分为三阶段逐步落实。此次动工的是计划中第二阶段的首栋研发写字楼,将打造地上11层、地下2层,总楼地板面积约7,122坪。随着计划进度推进,第三阶段也将规划为研发写字楼,以建构更完整的高阶研发基地。
在此计划中,第一阶段员工宿舍已于去年4月完工投入营运,提供逾1,300个床位,目前入住率已近八成,展现了该公司在扩展研发版图的同时,优先提供优质的工作与生活配套环境,落实对同仁生活福祉的照顾。
纬创指出,该公司深耕高雄多年,现设有两处研发中心及一个厂区。位于前镇科技园区内的“纬创高雄厂”即将于今年完工,加上未来落成的研发大楼,不仅创造更多在地就业机会,更藉由纬创在AI前瞻科技及智慧制造之优势,为南台湾及科技产业发展注入实质影响力。
(原文:https://www.icsmart.cn/102232/)
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