传长鑫存储将于明年量产12层堆叠HBM3/HBM3E

4月9日消息，据韩国媒体报道，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）计划明年开始大规模生产12层堆叠的高带宽内存HBM3/HBM3E，这也是目前主流商用HBM的最高堆叠层数，这代表着长鑫存储与国际领先DRAM厂商的技术差距正显著缩小，并能够进入先进AI芯片所需的HBM市场。

一位熟悉内情的业内人士表示：“长鑫存储今年将开始量产第四代‘8层HBM3’，同时也将与合作伙伴全面洽谈12层HBM的生产。DRAM堆叠的技术升级和设备投资也将随后进行。”目前长鑫存储正在积极地与国内外材料、元器件和设备供应商就资本支出计划进行洽谈。

目前，高端AI芯片上搭载的商用HBM的最高堆叠层数为12层，比如市场上大部分供应的HBM3E都是12层的。三星于今年2月份开始量产并向英伟达供应的HBM4（SK海力士和美光也在积极争取供应），也是以12层堆叠的形式供应。

HBM通过垂直堆叠DRAM来提高带宽，堆叠层数也是衡量HBM技术能力的关键指标。将微凸块（焊球）连接到上下DRAM层并实现无误键合的技术难度很高，堆叠后还需要进行散热管理——这就是为什么在将多个DRAM堆叠制造成HBM时良率会下降的原因。

HBM市场一直由SK海力士、三星电子和美光长期主导。长鑫存储于2024年下半年才开始量产“4层堆叠的HBM2”芯片，而SK海力士当时已开始量产12层堆叠的HBM3E 芯片，双方技术差距较大。然而，随着长鑫存储的持续追赶，仅在进入HBM领域约三年之后，就开始挑战12层堆叠的HBM的量产，这代表长鑫存储成功掌握了DRAM垂直堆叠这项高难度制程，缩短了与SK海力士等头部厂商的差距。

业内普遍认为，长鑫存储与韩国厂商在HBM上的技术差距已缩小至三年以内。另一位业内人士则表示：“三星电子和SK海力士要想进一步拉大技术差距，就需要提前掌握下一代技术，例如16层HBM和混合键合技术。”

长鑫存储的快速崛起归功于中国官方的支持和国内的庞大需求。虽然其良率仍低于韩国制造商，但该公司并未专注于提高良率，而是扩大了生产规模，从而提升了市场影响力。而随着影响力和供应量的增长，其技术和良率也必然会随之提高。

报道称，长鑫存储今年将把20%的DRAM总产量（约每月6万片晶圆）转换为HBM，以满足本土AI芯片公司的需求，同时也为未来进军国际市场进行战略布局。长鑫存储还计划通过在A股科创板IPO筹集295亿元人民币的资金，主要用于建设新的HBM生产设施及升级现有的DRAM制造中心。

（原文：https://www.icsmart.cn/103692/）